삼성전자, EUV 공정으로 14나노급 D램 양산…차세대 DDR5 대중화 선도
SK하이닉스도 EUV 적용 10나노모바일 D램 양산…EUV 공정 기술 안정성 확보

EUV 공정 적용 삼성전자 14나노 DDR5 D램<사진제공=삼성전자>

삼성전자(대표 김기남, 김현석, 고동진)와 SK하이닉스(대표 이석희, 박정호)가 EUV(극자외선) 공정을 적용한 4세대 1a D램 양산에 착수하며 글로벌 반도체 시장을 선도하고 있다.

최근 반도체 기업들은 공정이 극도로 미세화 됨에 따라 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇달아 도입하고 있는 상황이다.

17일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 EUV 공정을 적용한 14나노 D램 양산에 들어갔다.

신제품은 5개의 레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최고의 웨이퍼 집적도를 갖고 있다. 이전 세대보다 생산성이 약 20% 향상됐고 소비전력도 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사에게 제공했다. 현재 업계에서 유일한 EUV 멀티레이어 공정으로 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 기술을 확보하고 있다는 설명이다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용할 예정이다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 인공지능(AI), 머신러닝 등 데이터 이용 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 늘어나고 있다.

삼성전자 관계자는 “업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해 DDR5 D램 대중화를 선도하겠다”고 말했다.

EUV 공정 적용 SK하이닉스 10나노급 4세대 D램.<사진제공=SK하이닉스>

SK하이닉스도 지난 7월 처음으로 EUV 공정을 활용한 D램 양산을 시작했다. 10나노급 4세대 1a 미세공정을 적용한 8Gb LPDDR4 모바일 D램으로, 하반기부터 스마트폰 제조사들에 제품을 공급 중인 것으로 알려졌다.

신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력 강점을 보강해 탄소 배출을 줄일 수 있어 환경·사회·지배구조(ESG) 경영 실천에도 보탬이 된다.

앞서 SK하이닉스는 지난 2월 EUV 장비를 독점 생산하는 네덜란드 ASML과 계약을 체결하고 향후 5년간 4조7549억원을 투자해 EUV 노광장비를 매입하기로 한 상태다. EUV 공정기술 안정성을 지속 확보해 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산한다는 방침이다.

[CEO스코어데일리 / 유영준 기자 / yjyoo@ceoscore.co.kr]