“1c 기술 앞세워 다양한 고객 니즈 완벽 부응할 것”

(왼쪽부터) 김형수 SK하이닉 D램 AE 부사장, 조영만 D램 PI 부사장, 오태경 1c 테크 TF 부사장, 조주환 D램 설계 부사장, 정창교 D램 PE 부사장, 손수용 개발 테스트 부사장. <사진=SK하이닉스> 

세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세 공정 기술 개발에 성공한 SK하이닉스가 향후 HBM(고대역폭메모리), LPDDR, GDDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 해당 기술을 적용한다는 포부를 내비쳤다.

SK하이닉스는 10일 SK하이닉스 뉴스룸을 통해 1c 기술 개발 과정과 혁신 기술 역량, D램 기술 로드맵에 대해 조명하는 임원들의 좌담회 내용을 공개했다.

1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps로, 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌다. 전력 효율도 9% 이상 개선됐다.

정창교 SK하이닉스 D램PE(프로덕트 엔지니어링)담당 부사장은 1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다고 설명했다. 트리밍 기술은 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용해 성능을 상향시키는 기술이다.

성능뿐만 아니다. SK하이닉스는 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했다.

1c 테크 TF(태스크포스)에 속한 오태경 부사장은 “1c 기술 개발을 총괄한 1c 테크 TF의 가장 큰 목표는 ‘1등 개발’이었다”며 “이를 위해 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했다”고 밝혔다.

이어 “기존의 3단계(테스트·설계·양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계·양산 준비)로 효율화했다”며 “커패시터 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택했다”고 덧붙였다.

이를 통해 이전 세대 제품 대비 2개월이나 개발 시간을 단축할 수 있었다고도 했다.

또 SK하이닉스는 EUV(극자외선) 공정에 신소재를 개발해 적용하고, 원가 절감까지 이뤄냈다.

이렇듯 SK가 D램 시장에서 독보적인 기술 리더십을 발휘할 수 있었던 것은 ‘유기적인 협업’과 ‘원팀(One Team)’ 정신 덕분이라는 게 SK의 설명이다.

오 부사장은 “TF 운영을 비롯한 일하는 방식의 변화부터 플랫폼 기반 개발, 조기 양산 팹 운영 전략 등 다방면에 혁신이 더해지며 SK하이닉스의 기술 개발 역량은 점점 더 강해지고 있다고 생각한다”며 “무엇보다 구성원들의 원팀 정신이 모든 성과를 견인했다”고 강조했다.

그러면서 “2단계 개발 방식 도입과 EUV 패터닝 성능 및 원가 개선을 위한 신규 소재 개발 등은 탄탄한 협업 체계가 없었다면 성공할 수 없었을 것이다”고 덧붙였다.

정 부사장은 “1c 기술 개발 과정에서 가장 중요한 요소는 원팀 문화였다”며 “많은 기술적 도전을 극복하기 위해 각 조직이 긴밀하게 협력해 문제를 조기 발견했고, 이를 해결했다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 연내 1c 기술을 적용한 D램의 양산 준비를 마치고, 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다.

앞서 지난달 29일 SK는 1c 미세 공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이 제품은 고성능 데이터센터에 주로 활용될 것으로 기대를 모은다.

아울러 1c 16Gb DDR5 D램을 시작으로 HBM, LPDDR, GDDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 1c 기술을 적용한다는 뜻도 내비쳤다.

손수용 개발테스트담당 부사장은 “1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했다”며 “1c DDR5는 시작일 뿐, 앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용돼 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것이다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]