1c D램·4나노 파운드리 공정 적용
전작 대비 속도 20%·용량 30% 향상

삼성전자 ‘HBM4E’ 12단 제품. <사진=삼성전자> 

삼성전자가 7세대 HBM(고대역폭메모리)인 ‘HBM4E’ 샘플을 세계 최초로 출하했다. 이를 통해 삼성은 차세대 AI 메모리 주도권을 더욱 굳건히 한다는 방침이다.

삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 제품 샘플을 글로벌 고객사에 출하했다고 29일 밝혔다.

삼성전자 관계자는 “이번 HBM4E 샘플 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년 간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI 인프라 시장에서 삼성의 독보적인 공급 역량과 기술적 우위를 확고히 하는 계기가 될 것이다”고 기대했다.

삼성 HBM4E는 6세대 ‘HBM4’에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리(반도체 위탁 생산) 공정을 동시에 적용했다. 

특히 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 성능을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 이전 세대 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 또 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공함으로써 LLM(거대언어모델) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.

용량도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 방침이다.

이와 함께 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다.

삼성전자는 이번 HBM4E 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도하겠다”고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 공급도 확대 중이다. 삼성전자 HBM4는 지난해 말 최종 인증 단계인 SiP(시스템 인 패키지) 테스트에서 업계 최고 수준인 11.7Gbps 속도를 입증한 바 있다.

1c D램과 4나노 기반의 HBM4가 안정적으로 양산되고 있다는 점에서 HBM4E 역시 안정적인 양산 전환 가능성이 높을 것으로 관측된다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]