‘더블 스택’ 구조로 구현 가능한 최고 단수 V낸드
채널 홀 에칭 기술로 한 번에 최대 단수 뚫어
올 하반기 ‘QLC 9세대 V낸드’ 생산해 시장 선도

삼성전자 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’. <사진=삼성전자>

삼성전자가 업계 최초로 ‘1Tb TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작하며 AI(인공지능) 시대 속 첨단 낸드플래시 기술력을 뽐낸다.

삼성전자는 ‘더블 스택’ 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 23일 밝혔다.

이번 신제품은 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려졌다.

이와 관련해 삼성전자는 “‘채널 홀 에칭’ 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어 올렸다”고 설명했다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.

이번 낸드 신제품은 업계 최소 크기 셀, 최소 몰드 두께를 구현한 것이 특징이다. 이에 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)는 이전 세대 대비 약 1.5배 증가했다.

더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적도 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

또 9세대 V낸드는 차세대 낸드 인터페이스인 ‘토글(Toggle) 5.1’이 적용됐다. 이에 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고, 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

아울러 낸드 신제품에는 저전력 설계 기술이 탑재돼 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다. 환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객사에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대를 모은다.

향후 삼성전자는 올해 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 “낸드 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]